发明名称 蚀刻方法与蚀刻装置
摘要 提供一种蚀刻方法与装置,在微细化的图案上也能抑制侧面蚀刻的进行,高效地形成高精细的图案。对蚀刻对象物EO进行蚀刻的构成是:将蚀刻液EL与气体GS混合由2流体喷嘴N进行喷射,与蚀刻对象物EO碰撞时的蚀刻液的微小液滴ES的速度为30~300m/秒,发生粒径为15~100μm的蚀刻液的微小液滴ES,蚀刻对象物EO与2流体喷嘴N的间距d为50~500mm,将蚀刻液的微小液滴ES喷射在蚀刻对象物EO上,沿着掩模层的图案将导电层蚀刻,将电路部形成图案等。
申请公布号 CN1215198C 申请公布日期 2005.08.17
申请号 CN02106574.8 申请日期 2002.02.28
申请人 索尼公司 发明人 渡边喜夫;三穗惠博则;朝隈直子;尼子博久
分类号 C23F1/08;H05K3/06 主分类号 C23F1/08
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 温大鹏
主权项 1.一种蚀刻方法,其特征在于具有:将蚀刻液与气体混合由两流体喷嘴喷射,以发生蚀刻液的微小液滴的工序;将蚀刻对象物与上述两流体喷嘴的间距设定为50~500mm,将上述蚀刻液的微小液滴喷射在上述蚀刻对象物上,对上述蚀刻对象物进行蚀刻的工序;在前述两流体喷嘴喷射时,在该两流体喷嘴的喷射口附近设置遮蔽板,将由该喷射口倾斜地进行的成分遮蔽。
地址 日本东京都