| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明主要提供可用于大尺寸屏幕的有源矩阵显示器件的栅电极和栅极布线，其中为了实现本目的，本发明的构成是一种半导体器件，在同一衬底上具有设置在显示区的象素TFT和围绕显示区设置的驱动电路TFT，其中象素TFT和驱动电路TFT的栅电极由第一导体层形成，栅电极通过连接器与第二导体层形成的栅极布线电接触，连接器设置在象素TFT和驱动电路TFT的沟道形成区之外。 | ||
| 申请公布号 | CN1655038A | 申请公布日期 | 2005.08.17 |
| 申请号 | CN200510008153.1 | 申请日期 | 2000.04.12 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;小山润;高山彻;浜谷敏次 |
| 分类号 | G02F1/136;G02F1/133;H01L29/786;H01L21/00;H05B33/00 | 主分类号 | G02F1/136 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种液晶显示器，包括TFT，所述TFT包括：栅电极，包括在表面上的第一导电材料；和栅极布线，包括在所述表面上的第二导电材料；其中，所述栅电极和所述栅极布线在所述TFT的沟道形成区之外的区域接触。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||