| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体器件，具有通过改变熔丝元件的电阻来控制其功能的熔丝元件，该熔丝元件即使进行激光照射也不熔断熔丝，该半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上方的第1布线层；形成于所述第1布线层上方的第2布线层；将所述第1布线层和第2布线层间进行连接的至少一个作为熔丝元件的栓塞；以及在形成于所述第2布线层上方的一部分绝缘膜中与所述栓塞对应设置的开口部。而且，包含可以通过向所述开口部照射激光而在所述栓塞内形成的空隙。 | ||
| 申请公布号 | CN1655351A | 申请公布日期 | 2005.08.17 |
| 申请号 | CN200510062802.6 | 申请日期 | 2005.02.03 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 梶田明広 |
| 分类号 | H01L23/525;H01L21/768;H01L21/00 | 主分类号 | H01L23/525 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 臧霁晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上方的第1布线层；形成于所述第1布线层上方的第2布线层；将所述第1布线层和第2布线层间进行连接的至少一个作为熔丝元件的栓塞；以及在形成于所述第2布线层上方的一部分绝缘膜中与所述栓塞对应设置的开口部。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||