| 发明名称 | 存储器件 | ||
| 摘要 | 一种存储器件包括第一电极、面向该第一电极的第二电极、位于第一电极和第二电极之间的电极间材料层和电压施加单元，该电压施加单元将一预定电压施加到第一和第二电极上。此外，通过对第一和第二电极上施加电压，可变成电极反应阻止层的氧化－还原活性材料包含在电场覆盖的区域中，当施加电压时产生该电场，并且取决于施加到第一和第二电极的电压状况，该电极反应阻止层或者沿着第二电极和电极间材料层之间的界面形成、或者改变其面积、或者消失。 | ||
| 申请公布号 | CN1655358A | 申请公布日期 | 2005.08.17 |
| 申请号 | CN200410103790.2 | 申请日期 | 2004.12.03 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 石田实;荒谷胜久;河内山彰;对马朋人 |
| 分类号 | H01L27/10 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 黄小临;王志森 |
| 主权项 | 1.一种存储器件，包括：第一电极；面向该第一电极的第二电极；设置于第一电极和第二电极之间的电极间材料层；和电压施加单元，其将预定电压施加到第一和第二电极上；其中通过对第一和第二电极上施加电压，可变成电极反应阻止层的氧化-还原活性材料包含在电场覆盖的区域中，当施加电压时产生该电场，和取决于施加到第一和第二电极的电压状况，该电极反应阻止层或者沿着第二电极和电极间材料层之间的界面形成、或者改变其面积、或者消失。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||