一种制造半导体器件的方法及其半导体器件

摘要

本发明涉及制造半导体器件的方法及其器件。在适当制备的衬底上，进行选择性蚀刻工艺，露出沟道区的侧面(晶体管本体)。非常薄的硅化停止材料层，例如SiGe位于蚀刻区，覆盖沟道区的露出侧面。硅化停止材料针对制成的MOSFET类型(n沟道或p沟道)适当地掺杂(高度地)。然后，蚀刻区填充硅，例如通过Si处理工艺。然后在新填充的区域上进行硅化(形成例如CoSi₂)。硅化停止材料限制对硅填充材料的硅化，但防止硅化物延展越过硅化停止材料。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，包含：提供一半导体结构，该结构包含硅衬底和在该硅衬底上形成的栅极结构，所述栅极结构还包含栅极接触和栅极绝缘体；在所述衬底上选择性地形成蚀刻区，露出在所述栅极结构下方的沟道区的侧面；在所述蚀刻区内设置硅化停止材料形成的高度掺杂薄层；在所述硅化停止材料上方在所述蚀刻区内设置硅填料；以及执行硅化过程，在所述硅填料中形成硅化物，从而形成源/漏极硅化物区。