半导体激光元件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体激光元件及其制造方法。P型AlGaInP第1覆盖层上，在脊部的侧面及开孔区域的上方的脊部的上表面区域形成有n型GaAs电流阻挡层。端面近旁的区域上的p型GaAs顶盖层上形成隆起部，端面近旁的第1电极区域上形成隆起区域。第1电极的隆起区域间的区域上形成具有比隆起区域的高度大的厚度的第2电极。

主权项

1.一种半导体激光元件，其特征在于，该半导体激光元件具备：基板、形成于所述基板上，包含构成谐振器的活性层的激光元件结构、以及形成于所述激光元件结构上的电极层，所述激光元件结构在上表面具有隆起部，所述电极层在所述隆起部上的区域具有0以上的第1膜厚，除所述隆起部以外的区域具有比所述第1膜厚更大的第2膜厚，所述电极层包含：形成于所述激光元件结构的上表面，覆盖所述隆起部的至少一部分的第1电极，以及除了因所述隆起部而形成于所述第1电极的隆起区域外，在所述第1电极上形成的第2电极。