| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：a.对半导体基片进行曝光和显影，以便选择性地去除半导体基片的指定膜上所淀积的光刻胶；b.对选择性去除光刻胶后给定膜的暴露部分进行蚀刻；c.用单乙醇胺和二甲亚砜的混合液将上述选择性去除光刻胶后剩留在半导体基片上的光刻胶全部去除。 | ||
| 申请公布号 | CN1215535C | 申请公布日期 | 2005.08.17 |
| 申请号 | CN03101625.1 | 申请日期 | 1998.08.19 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 田渼淑;李春得;吉埈仍;田弼权 |
| 分类号 | H01L21/30;G03F7/004;G03F7/26;C11D7/22 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括去除光刻胶的步骤，其中，用单乙醇胺和二甲亚砜的混合液将淀积在半导体基片上的光刻胶全部除去，而其温度保持为10℃-40℃，时间少于300秒。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||