具有分散电流与提高发光面积利用率的发光二极管

摘要

一种发光半导体元件至少包括：一衬底；一第一半导体结构位于衬底上；一发光结构位于第一半导体结构的一第一部份上；一第一接触结构位于第一半导体结构的一第二部份上，第一半导体结构的第二部份与第一部份相分离，第一接触结构具有一第一形状；一第二半导体结构位于发光结构上；一透明接触层位于第二半导体结构上，透明接触层具有一切断的部位以暴露出部位的第二半导体结构，并且具有一第二形状；及一第二接触结构位于透明接触层的切断的部位上，接触到第二半导体结构，并具有一第三形状，第二接触结构的第三形状与具有第二形状的透明接触层及具有第一形状的第一接触结构相配合，借以提供从第一接触结构至第二接触结构的数个电流路径相近的路径。

主权项

1.一种发光半导体元件，其特征在于，至少包括：一衬底；一第一半导体结构位于所述衬底上；一发光结构位于所述第一半导体结构的一第一部份上；一第一接触结构位于所述第一半导体结构的一第二部份上，所述第一半导体结构的第二部份与所述第一部份相分离，所述第一接触结构具有一第一形状；一第二半导体结构位于所述发光结构上；一透明接触层电极位于所述第二半导体结构上，所述透明接触层电极具有一切断的部位以暴露出所述部位的第二半导体结构，并且具有一第二形状；及一第二接触结构位于所述透明接触层电极的切断的部位上，接触到所述第二半导体结构，并具有一第三形状，所述第二接触结构的第三形状与所述具有第二形状的透明接触层电极及所述具有第一形状的第一接触结构相配合的关系，借以提供数个从所述第一接触结构至所述第二接触结构的路径，这些路径具有相近长度的电流路径。