锂电池保护集成电路芯片

摘要

本实用新型涉及一种锂电池保护集成电路芯片。它由底板、硅片、引脚和塑封管壳构成，硅片中的电路结构包含有基准电压源电路、休眠控制器和需休眠的模块等等。于休眠控制器由六个MOS晶体管组成三级倒相器构成，每级由两个互补的NMOS晶体管和PMOS晶体管组成，休眠控制器的输入端连接基准电压源电路的输出端，检测对象是电源电压。输出端分别接到一个MOS晶体管，控制一个需休眠的模块。本实用新型采用的休眠控制电路本身能耗少，且可稳定工作。

主权项

1.一种锂电池保护集成电路芯片，由底板(4)、硅片(3)、引脚(1)和塑封管壳(2)构成；制成的电路集成在硅片(3)上，电路结构中包含有基准电压源电路(6)、休眠控制器(7)和需休眠的模块(5、8、10)等；休眠控制器(7)由六个MOS晶体管(M1-M6)组成三级倒相器构成，每级由两个互补的NMOS晶体管和PMOS晶体管组成，休眠控制器(7)的一个输入端连接基准电压源电路(6)的输出端，检测对象是电源电压，输出端(Sb)分别各经一个作为开关的MOS晶体管去控制需休眠的模块(8、10、12)。