SiGe异质结双极晶体管的制造方法

摘要

本发明提供了一种制造包含非选择性生长的SiGe(C)异质结双极晶体管的半导体器件的方法，此方法包括下列步骤：在衬底上形成绝缘层(12，40)以及在绝缘层(12，40)上提供包括导电层(14，42)的层状结构，通过导电层(14，42)腐蚀一个晶体管区域窗口(12，44)，在晶体管区域窗口(22，44)的内壁上淀积SiGe基区层(24，46)，以及在上表面上形成绝缘体(32，52)以便填充晶体管区域窗口，其中，在填充步骤之前，氮化物层(30，50)被形成作为晶体管区域窗口(22，44)的内层。

主权项

1.一种用非选择性外延生长方法来制造包含SiGe(C)异质结双极晶体管的半导体器件的方法，此方法包括下列步骤：在衬底上形成绝缘层以及在绝缘层上提供包括导电层的层结构，通过导电层腐蚀一晶体管区域窗口，在晶体管区域窗口内淀积SiGe基区层，并在上表面上形成绝缘体，以便填充晶体管区域窗口，其中，在填充步骤之前，氮化物层被形成作为晶体管区域窗口的内层。