发明名称 |
薄膜晶体管、使用其的液晶显示器、以及其制造方法 |
摘要 |
位于栅极电极上用来形成在源极电极和漏极电极之间的沟道区域的半导体膜具有比位于栅极电极上的源极电极的宽度和漏极电极的宽度宽的宽度。在沟道区中的两边部分上的半导体膜的宽度方向上形成了不规则。 |
申请公布号 |
CN1655039A |
申请公布日期 |
2005.08.17 |
申请号 |
CN200510009452.7 |
申请日期 |
2005.02.08 |
申请人 |
NEC液晶技术株式会社 |
发明人 |
大石三真;木村聪 |
分类号 |
G02F1/136;H01L29/786;H01L21/027;G02F1/133;G03F7/20 |
主分类号 |
G02F1/136 |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
穆德骏;陆弋 |
主权项 |
1.一种薄膜晶体管,包括:在源极电极和漏极电极之间延伸的半导体膜,所述半导体膜包括沿半导体膜的延伸方向的其两个边上并且在垂直于延伸方向中形成的不规则,不规则的凹部位于连接所述源极电极和所述漏极电极的相对边的两端的一对虚拟直线所夹着的区域之外;以及布置在所述沟道区域下的栅极电极,在所述半导体膜和所述栅极电极之间插入栅极绝缘膜。 |
地址 |
日本神奈川县川崎市 |