| 发明名称 | 在氟化氧化物沉积工艺中减少半导体器件污染 | ||
| 摘要 | 一种用于提高在高密度等离子体室中的半导体晶片沉积工艺的产量的方法，包括使用包括高功率足以烧掉室中的氟硅酸盐玻璃残留物的工艺，处理高密等离子体室中的第一晶片。该方法还包括去除第一晶片和使用相同的工艺处理附加的晶片，在晶片之间不清洁室。 | ||
| 申请公布号 | CN1655330A | 申请公布日期 | 2005.08.17 |
| 申请号 | CN200510007849.2 | 申请日期 | 2005.02.05 |
| 申请人 | 艾格瑞系统有限公司 | 发明人 | 莱昂纳德·J·奥尔默;托马斯·詹姆斯·拉海;蒂莫西·斯科特·坎贝尔;罗伯特·威廉·山泽尔;戴维·马克·沙特尔沃斯 |
| 分类号 | H01L21/314;C23C14/10 | 主分类号 | H01L21/314 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种用于提高在高密度等离子体室中的半导体晶片沉积工艺的产量的方法，包括：将第一晶片放置在高密度等离子体室中；对第一晶片施加第一电偏置；将第一晶片暴露于第一功率值的高密度等离子体；在将第一晶片暴露于第一功率值的高密度等离子体期间在室中沉积氟硅酸盐玻璃，以沉积介质层；对第一晶片施加小于第一电偏置的第二电偏置；将第一晶片暴露于大于第一功率值的第二功率值的高密度等离子体，使得第二功率值足够高，以烧掉在之前的沉积步骤期间沉积的氟残留物；去除第一晶片；将第二晶片放置在高密度等离子体室中；对第二晶片施加第一电偏置；将第二晶片暴露于第一功率值的高密度等离子体；在将第二晶片暴露于高密度等离子体期间向室内沉积氟硅酸盐玻璃；以及在沉积介质层期间，在将第二晶片暴露于第一功率值的高密度等离子体之前引入硅酸盐玻璃。 | ||
| 地址 | 美国新泽西州 | ||