| 发明名称 | 用于减小电子器件内漏电流影响的器件 | ||
| 摘要 | 公开了一种用于减小电子器件内漏电流影响的器件(100)。在一种形式中，高压驱动器(104)包括连接到至少一个高压晶体管(203、204)的高压源(103)和连接到高压晶体管(203、204)之一的至少一部分的泄漏偏置模块(206)。泄漏偏置模块(206)包括可操作用于产生偏置电压的二极管连接的MOS器件(408)和与二极管连接的MOS器件(408)并联的MOS旁路器件(409)。在工作过程中，根据与使用高压源(103)相关的亚阈值泄漏，二极管连接的MOS器件(408)产生偏置电压，而且当亚阈值漏电流相对较低时，MOS短路器件(409)可进行操作以使二极管连接的MOS器件(408)短路。 | ||
| 申请公布号 | CN1656566A | 申请公布日期 | 2005.08.17 |
| 申请号 | CN03812528.5 | 申请日期 | 2003.05.07 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 亚历山大·霍弗勒;库伊·V·丁;罗伯特·A·詹森;马修·B·拉特利奇 |
| 分类号 | G11C16/08;G11C8/08;H03K19/00 | 主分类号 | G11C16/08 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1、一种用于降低漏电流的影响的装置，包括：可操作将高压电平连接到输出的电子器件，该电子器件包括在与高压源相连时可操作提供亚阈值漏电流的至少一个晶体管；和可操作响应亚阈值漏电流将偏置电压连接到所述至少一个晶体管的泄漏偏置模块。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||