| 发明名称 | 绝缘体上缓和SiGe层的制备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于在绝缘体(74)的缓和SiGe(SGOI)上形成应变Si或应变SiGe的方法，在半导体衬底上生长缓变Si<SUB>1-x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>层(20)和外延Si<SUB>1-y</SUB>Ge<SUB>y</SUB>层，在所述Si<SUB>1-y</SUB>Ge<SUB>y</SUB>层(30)中注入氢(70)，以形成富氢缺陷层，通过化学机械抛光平滑表面，通过热处理将两个衬底粘结在一起，并在富氢缺陷层分离两个粘结的衬底。可以通过CMP对分离的衬底的上表面(75)进行平滑，该上表面用于外延淀积其它层。 | ||
| 申请公布号 | CN1215550C | 申请公布日期 | 2005.08.17 |
| 申请号 | CN01816500.1 | 申请日期 | 2001.09.27 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | D·卡纳佩里;J·O·舒;C·德米科;黄丽娟;J·A·奥特;H－S·P·翁 |
| 分类号 | H01L21/762;H01L21/20 | 主分类号 | H01L21/762 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种制备绝缘体上的缓和SiGe层的方法，包括以下步骤：在第一单晶半导体衬底上形成缓变Si1-xGex外延层，其中，X的取值范围为0.2至0.5，在缓变Si1-xGex层上形成缓和Si1-yGey外延层，通过氢轰击在缓和Si1-yGey层中形成富氢缺陷层，其中，Y的取值范围为0.2至0.5，将缓和Si1-yGey外延层上的第一平面表面平滑为表面粗糙度范围在0.3nm到1nm均方根之间，将第二衬底上的第二平面表面平滑为表面粗糙度范围在0.3nm到1nm均方根之间，将第一平面表面粘结到第二平面表面，在富氢缺陷层处分离缓和Si1-yGey层，以形成：包含第一衬底、缓变Si1-xGex层和缓和Si1-yGey层的第一结构；以及包含第二衬底和缓和Si1-yGey层的第二结构。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||