发明名称 FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD THEREFORE
摘要
申请公布号 KR20050080550(A) 申请公布日期 2005.08.17
申请号 KR20040008600 申请日期 2004.02.10
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 MIN, BYUNG JUN;JEON, BYUNG GIL
分类号 G11C11/22;(IPC1-7):G11C11/22 主分类号 G11C11/22
代理机构 代理人
主权项
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