| 发明名称 | 通路孔镀铜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在多层基底上形成通路孔(13)的镀铜法，所述通路孔(13)与多层基底的导电层相互连接，该方法包括在通路孔(13)的内壁上进行化学镀铜；之后在通路孔(13)的内壁上进行电解镀铜，其中电解镀铜包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段是在电流密度等于或小于1.5A/dm<SUP>2</SUP>下进行的从而使沉积的铜膜具有1μm或更大的厚度，所述的第二阶段是在电流密度高于第一阶段电流密度的情况下进行的。 | ||
| 申请公布号 | CN1215747C | 申请公布日期 | 2005.08.17 |
| 申请号 | CN02142993.6 | 申请日期 | 2002.08.07 |
| 申请人 | 株式会社丰田自动织机 | 发明人 | 下俊久;井上敏树;熊谷京子;加藤祥文;吉田贵司;日高理仲 |
| 分类号 | H05K3/42 | 主分类号 | H05K3/42 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;郭广迅 |
| 主权项 | 1.一种在多层基底上形成的通路孔(13)的镀铜法，所述通路孔(13)与多层基底的导电层相互连接，其特征在于：在通路孔(13)的内壁上进行化学镀铜；在进行化学镀铜之后，在通路孔(13)的内壁上进行电解镀铜，其中电解镀铜包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段是在电流密度不小于1.0A/dm2且不大于1.5A/dm2下进行的，从而使沉积的铜膜具有1μm或更大的厚度，其中所述的第二阶段是在电流密度高于第一阶段电流密度的情况下进行的，来形成填充镀覆层以填充所述通路孔的剩余部分，其中，所述第一阶段和第二阶段都是用脉冲镀覆进行的，其中正脉冲和负脉冲是交替供给的，并且正脉冲的传导量大于负脉冲的传导量。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||