半导体装置之制造方法

摘要

本发明之目的是防止半导体装置所具有之性能和可靠度因为金属污染物质而降低。本发明之解决手段是利用氧化矽基板1和矽膜2形成SOI(绝缘层上覆矽)基板。使矽膜2之表面被氧化用来形成氧化矽膜3。多晶矽4和氮化矽膜5顺序地形成在氧化矽膜3上。然后，在区域R1形成沟渠7。在沟渠7埋入绝缘材料之氧化矽膜13。