无倾斜堆叠电容的制造方法

摘要

为了制造无倾斜堆叠电容器，先在多层材料层中形成开口，这些材料层包括配置在开口的底部的一支撑材料层。之后在各个开口内形成各个电容器的第一电极，之后，图案化支撑材料层以形成第一电极周围的支撑结构，接着，在第一电极顶部的暴露表面形成罩幕间隙壁，且蚀刻支撑材料层的暴露部分以形成支撑结构，此堆叠电容器可应用在DRAM之中。