发明名称 半导体发光元件
摘要 本发明之半导体发光元件具备:第1导电型半导体层,其包含氮化合物半导体;第2导电型半导体层,其包含氮化合物半导体,设置于第1导电型半导体层上;活性层,其包含氮化合物半导体,设置于第1导电型半导体层与第2导电型半导体层之间;第1电极,其电性连接于第1导电型半导体层;第2电极,其以特定之图案设置于第2导电型半导体层上;及金属反射膜,其设置于第2导电型半导体层上与前述第2电极上。
申请公布号 TW200527712 申请公布日期 2005.08.16
申请号 TW093132053 申请日期 2004.10.21
申请人 住友电气工业股份有限公司 发明人 池田亚矢子;永井阳一;中村孝夫
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本