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发明名称
半导体发光元件
摘要
本发明之半导体发光元件具备:第1导电型半导体层,其包含氮化合物半导体;第2导电型半导体层,其包含氮化合物半导体,设置于第1导电型半导体层上;活性层,其包含氮化合物半导体,设置于第1导电型半导体层与第2导电型半导体层之间;第1电极,其电性连接于第1导电型半导体层;第2电极,其以特定之图案设置于第2导电型半导体层上;及金属反射膜,其设置于第2导电型半导体层上与前述第2电极上。
申请公布号
TW200527712
申请公布日期
2005.08.16
申请号
TW093132053
申请日期
2004.10.21
申请人
住友电气工业股份有限公司
发明人
池田亚矢子;永井阳一;中村孝夫
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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