非挥发性记忆胞的制造方法

摘要

一种非挥发性记忆胞的制造方法，系先于基底上依序形成底介电层与电荷陷入层。接着，图案化电荷陷入层，以形成暴露出部分底介电层的一个沟渠，再于基底上形成一层顶介电层覆盖电荷陷入层以及暴露出的底介电层。之后，于基底上形成一层导电层覆盖顶介电层，再图案化导电层、顶介电层、电荷陷入层以及底介电层，以形成堆叠式结构，此堆叠式结构之宽度大于沟渠之宽度。接着，于堆叠式结构两侧之基底中形成源／汲极区。由于单一记忆胞之电荷陷入层分成两个独立的结构，因此可以配合元件小型化的发展，制作出适于长期操作的记忆胞。