固态摄影装置之制造方法

摘要

于半导体基板20上，形成像素单元(包含将入射光进行光电转换并累积之复数个光二极体25与读取该光二极体之讯号电荷的读取机构23a,24a)以2维状排列所成之感光区域，并以MOS电晶体24b,24c,23c来形成将该感光区域之复数个像素单元朝行方向驱动之垂直驱动电路与朝列方向驱动之水平驱动电路、及将输出讯号放大之放大电路。具备：以STI来形成光二极体及复数个MOS电晶体之各元件间之元件分离区域21的制程，及形成厚度10nm以下之该MOS电晶体之闸极氧化膜22的制程；MOS电晶体之闸极形成制程以后之全部的热处理制程皆在不超过900℃之温度范围内施行。可充分抑制于微细构造之MOS型固态摄像装置所发生之影像缺陷。