矽单结晶中之氧气析出情况预测方法、矽单结晶之制造参数决定方法、记忆有预测矽单结晶中之氧气析出情况用之程式的记忆媒体

摘要

〔课题〕本发明系藉由将对于氧析出而成为最重要之要素之热施体浓度，反映于演算方法，来表现热施体对于氧析出之效果，提高关于氧析出物之预测之可靠性。〔解决手段〕藉由将矽单结晶中之初期氧浓度和配合于矽单结晶进行结晶成长时之所承受之400℃开始至550℃间之热履历所发生之热施体之浓度，进行特定，而在对于矽单结晶进行热处理之状态下，在其热处理过程，求出在矽单结晶中之所发生之氧析出物之核发生速度。此外，藉由特定施加于矽单结晶之热处理条件，以便于藉由演算而预测任意之热处理条件之氧析出物之密度及氧析出量。