透明导电性氧化物

摘要

本发明提出一种自金属靶沈积透明导电性薄膜之方法。根据本发明实例之形成透明导电性氧化物薄膜的方法包括使用具有基板偏压之脉冲DC偏压反应性离子法沈积该透明导电性氧化物薄膜，并控制至少一个处理参数以影响该导电性氧化物薄膜之至少一种特征。所形成透明氧化物薄膜－－其在某些实例中可为氧化铟锡薄膜－－可显示出视处理参数中之变化而定的广泛范围材料性质。例如，改变该处理参数可形成具有广泛范围之薄膜电阻性质与表面光滑度。