成膜方法

摘要

本发明系提供一种成膜方法，系由供给TiCl4气体以及NH3气体至在处理室内加热至成膜温度之半导体晶圆，并藉由CVD形成由TiN构成的膜之第1步骤；以及反覆一周期以上停止TiCl4气体并供给NH3气体之第2步骤所构成的周期，在半导体晶圆上成膜特定的厚度之TiN膜，将成膜之际的半导体晶圆上之温度设为未满450℃，将处理室内之全压设为超过100Pa，将第1步骤之处理室内的NH3气体之分压设为30Pa以下。