发明名称 半导体积体电路装置及其错误检查与校正之方法
摘要 本发明揭示一种半导体积体电路装置,包括一记忆体单元阵列,一错误检查与校正(ECC)电路,其执行读出资料之错误检查与校正操作,该读出资料在读取延迟及一I/O(输入/输出)缓冲区期间在资料读出时间由正常资料储存部份读出。该记忆体单元阵列包括一正常资料储存部份及一同位资料储存部份。该正常资料储存部份储存用在正常资料写入及正常资料读取之资料。同位资料储存部份储存用在错误检查与校正之同位资料。在一资料读取操作之读取延迟周期期间,该EEC电路传送由该正常资料储存部份所读出之错误检查与校正读取资料。在该读取延迟周期终止之后,该I/O缓冲区输出该ECC电路检查与校正过之读取资料错误。
申请公布号 TW200527438 申请公布日期 2005.08.16
申请号 TW093118887 申请日期 2004.06.28
申请人 东芝股份有限公司 发明人 古贺光弘;新矢宽
分类号 G11C29/00;G06F11/10 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本