具减少的闸电荷及减少的阻抗之半导体装置及方法

摘要

本发明在一具体实施例中揭示一种包含具有一第一导电类型之一半导体材料，且在该半导体材料中置放有一第二导电类型的一主体区域之半导体装置。该主体区域邻接一JFET区域。在该主体区域内置放该第一导电类型之一源极区域。一闸极层系置放于该半导体材料上，并具有在该JFET区域上之一第一开口与在该主体区域上之一第二开口。