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<P>Deux agencements (21ak, 21bk) de formation d'éléments à effet Hall sont formés sur un substrat (10a,) en semi-conducteur. Chaque agencement (21ak, 21bk) de formation d'éléments à effet Hall comprend un élément à effet Hall (21 a, 21b) qui est formé dans une surface principale du substrat (10a) en semi-conducteur. Une embase (10b) est formée séparément du substrat (10a) en semi-conducteur. Ensuite, l'embase (10b) est disposée sur une surface arrière du substrat (10a) en semi-conducteur et supporte le substrat (10a) en semi-conducteur et les agencements (21ak, 21bk) de formation d'éléments à effet Hall. L'embase (10b) comporte une surface de support (10bh) qui supporte le substrat (10a) en semi-conducteur et les deux surfaces obliques (10bs, 10bt) dont chacune est oblique par rapport à la surface de support (10bh). Chaque agencement (21ak, 21bk) de formation d'éléments à effet Hall est supporté sur une/les surfaces obliques (10bs, 10bt) de l'embase (10b).</P>
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