| 主权项 |
1.一种高频半导体装置,包含:一设置于一半导体基体之上的天线接地板,该天线接地板要被连接到接地电位;一设置于该天线接地板之上的接线电极,一中间层绝缘薄膜系在该接线电极与该天线接地板之间;一设置在该天线接地板之下且系经由一通过该天线接地板的贯孔来连接至该接线电极的天线连接物;以及一设置于该半导体基体之上的线导体,该线导体可与该接地电位形成一高频传输线。2.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置,其中,该天线连接物是为一由被定以图型之导体形成的天线。3.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置,其中,该天线连接物是为一形成于该半导体基体的主动区域。4.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置,更包含一设置于该半导体基体之上且系连接至该接地电位的接地板,其中,该线导体与该接地板一起形成一高频传输线。5.如申请专利范围第4项所述之高频半导体装置,其中,该接地板系设置于一作为该天线连接物之天线线下面且该天线线系与该接地板一起形成一高频传输线。6.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置,更包含一设置于该天线接地板上的线导体,一中间层绝缘薄膜系在该天线接地板与该线导体之间,该线导体系与该天线接地板一起形成一高频传输线。7.如申请专利范围第6项所述之高频半导体装置,更包含:一设置于该半导体基体之上的接地板,该接地板系与该天线接地板分隔且系要被连接至接地电位;及一设置于该接地板上的线导体,一中间层绝缘薄膜系在该接地板与该线导体之间,该线导体系与该接地板一起形成一高频传输线。8.如申请专利范围第6项所述之高频半导体装置,其中,该天线接地板系实质上设置于该半导体基体之的整个表面上,且数个线导体系设置于该天线接地板上,该等数个线导体中之每一者系与该天线接地板一起形成一高频传输线。9.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置,其中,一被动装置系设置于该天线接地板之下。10.如申请专利范围第9项所述之高频半导体装置,其中,该被动装置是为线导体、电容器、电感器或电阻器中之任一者。11.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置,其中,该中间层绝缘薄膜系由一树脂绝缘材料构成。12.如申请专利范围第11项所述之高频半导体装置,其中,该树脂绝缘材料是为聚醯亚胺或者苯环丁烷。13.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置,其中,该接线电极具有一矩形形状或者一圆形形状。14.如申请专利范围第1项所述之高频半导体装置,其中,该接线电极与天线接地板中之每一者系由一高传导性材料形成。15.如申请专利范围第14项所述之高频半导体装置,其中,该高传导性材料是为金或者超导体。图式简单说明:第1图是为用于说明一习知接线天线的透视平面图;第2图是为沿着第1图中之线A-A'的剖视图;第3图是为用于说明本发明之本质概念的透视平面图;第4图是为沿着第3图中之线A-A'的剖视图;第5图是为用于说明本发明之MMIC之第一实施例的透视平面图;第6图是为沿着第5图中之线A-A'的剖视图;第7图是为用于说明本发明之MMIC之第二实施例的透视平面图;第8图是为沿着第7图中之线A-A'的剖视图;第9图是为用于说明本发明之MMIC之第三实施例的透视平面图;第10图是为沿着第9图中之线A-A'的剖视图;第11图是为用于说明本发明之MMIC之第四实施例的透视平面图;及第12图是为沿着第11图中之线A-A'的剖视图。 |
