| 主权项 |
1.一种自烃原料制备2,6-二烷基之方法,该烃原料包括至少一种选自二烷基异构物、一烷基异构物、多烷基与之组份,该方法包括下列步骤:I.将来自步骤III之脱烷基产物及选择性该烃原料分离成含级分、含一烷基级分、含二烷基级分与含其余产物之级分;II.自步骤I之二烷基级分分离并纯化2,6-二烷基;III.将该烃原料与步骤I之其余产物级分脱烷基化,并将脱烷基产物送到步骤I;IV.将步骤I之级分与一烷基级分加以烷基化;其中该烃原料系被送至步骤III及选择性的步骤I。2.如申请专利范围第1项之方法,其另外包括于步骤II分离2,6-二烷基后使该二烷基级分脱烷基化,并将制得之脱烷基产物循环至步骤I。3.如申请专利范围第1项之方法,其中于步骤II分离2,6-二烷基后,于步骤III进行该二烷基级分之脱烷基化,并将烃原料及/或步骤I之其余产物级分脱烷基化。4.如申请专利范围第1项之方法,其中将步骤IV之产物送至步骤I。5.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤II包括下列副步骤:II-1.将步骤I之二烷基级分分离成2,6-富含-二烷基级分与2,6-贫乏-二烷基级分;II-2.自步骤Ⅱ-1之2,6-富含-二烷基级分纯化2,6-二烷基。6.如申请专利范围第5项之方法,其另外包括将至少一部分得自步骤II-1之2,6-贫乏-二烷基级分加以异构化,其中将至少一部分异构化产物送到步骤I及/或步骤II-2。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该异构化作用系于存在一种触媒组成物下进行,此触媒组成物含有一种以具有以下面间d-间距(A)之X射线绕射图型为特征之合成沸石12.360.411.030.28.830.146.18土0.126.000.104.060.073.910.073.420.068.如申请专利范围第6项之方法,其中将至少一部分步骤II-2纯化2,6-二烷基后之残留产物送到步骤III。9.如申请专利范围第6项之方法,其中将至少一部分步骤IV之产物送到步骤I,并将至少一部分步骤II-2纯化2,6-二烷基后之残留产物送到步骤III。10.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤I之脱烷基化系加氢脱烷基化。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该加氢脱烷基化包括使烃原料与一种触媒组成物接触,该触媒组成物包括一种含有第VI-A族金属氧化物之经活化氧化铝触媒载体。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该第VI-A族金属系铬。13.如申请专利范围第10项之方法,其中该加氢脱烷基化包括使烃原料与一种触媒组成物接触,该触媒组成物包括一种含有第VIII族金属与第VI-A族金属之氧化物的经活化氧化铝触媒载体。14.如申请专利范围第13项之方法,其中第VIII族金属系钴。15.如申请专利范围第13项之方法,其中第VI-A族金属系钼。16.如申请专利范围第13项之方法,其中于存在有机硫化物下以600-1000℉预处理该金属氧化物。17.如申请专利范围第10项之方法,其中该加氢脱烷基化系于存在有一种触媒组成物下进行,该触媒组成物包括至少一种选自贵金属、镍、其组合物之金属与一种以具有以下面间d-间距(A)之X射线绕射图型为特征之合成沸石12.360.411.030.28.830.146.180.126.000.104.060.073.910.073.420.0618.如申请专利范围第1项之方法,其中该烷基化系于存在一种触媒组成物下进行,该触媒组成物包括一种以具有以下面间d-间距(A)之X射线绕射图型为特征之合成沸石12.360.411.030.28.830.146.180.126.000.104.060.073.910.073.420.0619.如申请专利范围第1项之方法,其中该用于烷基化之烷基化剂系甲醇或二甲醚。图式简单说明:图1显示申请范围第1项方法之较佳一览表。图2显示申请范围第2项方法之较佳一览表。图3显示申请范围第3项方法之较佳一览表。图4显示申请范围第4项方法之较佳一览表。图5显示申请范围第5项方法之较佳一览表。图6显示申请范围第6项方法之较佳一览表。图7显示申请范围第8项方法之较佳一览表。图8显示申请范围第9项方法之较佳一览表。图9显示实施例7之结果图10显示实施例12之结果。图11显示实施例13之结果。 |
