| 主权项 |
1.一种硫化锌-二氧化矽烧结体靶材,其系由含ZnS 70~90莫耳%,其余为SiO2及不可避免的杂质所构成者,其特征在于:原料系至少将ZnS粉末分散于纯水中之状态下进行湿式粉碎者,将该ZnS粉末与SiO2粉末的混合粉末,于900℃以上1020℃以下的温度下进行真空热冲压绕结而制造,且表示构成该靶材之ZnS的结晶构造之X射线绕射图的波峰强度比得满足下式:0≦I(w100)/(I(zb111)+I(w002))≦0.2其中,I(w100)为纤锌矿型构造的(100)绕射波峰的强度、I(w002)为纤锌矿型构造的(002)绕射波蜂的强度、I(zb111)为闪锌矿型构造的(111)绕射波峰的强度、(I(zb111)+I(w002))为重叠观测之绕射波峰的强度。2.如申请专利范围第1项之硫化锌-二氧化矽烧结体靶材,其中,将上述ZnS粉末分散于纯水中之状态下进行湿式粉碎后,在大气中于300℃~400℃下进行乾燥。3.如申请专利范围第1项之硫化锌-二氧化矽烧结体靶材,其中,原料之ZnS粉末或ZnS与SiO2粉末的混合粉末,于真空中加热时所释出的气体之分析中,在300℃~500℃的范围未见有H2S的释出波峰。4.如申请专利范围第2项之硫化锌-二氧化矽烧结体靶材,其中,原料之ZnS粉末或ZnS与SiO2粉末的混合粉末,于真空中加热时所释出的气体之分析中,在300℃~500℃的范围未见有H2S的释出波峰。5.如申请专利范围第1至4项中任一项之硫化锌-二氧化矽烧结体靶材,其中,原料之ZnS粉末的平均粒径为3m以下。6.如申请专利范围第1至4项中任一项之硫化锌-二氧化矽烧结体靶材,其中,至少使用由ZnS粉末分散于纯水中之状态下以湿式粉碎,然后在大气中于300℃~400℃下乾燥所得之原料。7.如申请专利范围第1至4项中任一项之硫化锌-二氧化矽烧结体靶材,其中,抗折强度为4kgf/mm2以上。8.如申请专利范围第5项之硫化锌-二氧化矽烧结体靶材,其中,至少使用由ZnS粉末分散于纯水中之状态下以湿式粉碎,然后在大气中于300℃~400℃下乾燥所得之原料。9.如申请专利范围第5项之硫化锌-二氧化矽烧结体靶材,其中,抗折强度为4kgf/mm2以上。10.如申请专利范围第6项之硫化锌-二氧化矽烧结体靶材,其中,抗折强度为4kgf/mm2以上。11.一种硫化锌-二氧化矽烧结体靶材之制造方法,其系将ZnS粉末与SiO2粉末的混合粉末施以真空热冲压绕结者,其特征在于:至少使用由ZnS粉末分散于纯水中之状态下以湿式粉碎,然后在大气中于300℃~400℃下乾燥所得者作为原料,再将ZnS粉末与SiO2粉末的混合粉末,于900℃以上1020℃以下的温度下,进行真空热冲压烧结。12.如申请专利范围第11项之硫化锌-二氧化矽烧结体靶材之制造方法,其中,将ZnS粉末分散于纯水中之状态下以湿式粉碎、然后在大气中于300℃~400℃下乾燥之后再与SiO2粉末混合用以作为原料之混合粉末;或者将ZnS粉末及SiO2粉末分散于纯水中之状态下以湿式粉碎,然后在大气中于300℃~400℃下乾燥所得者作为原料粉末;再将其进行真空热冲压烧结。13.如申请专利范围第11项之硫化锌-二氧化矽烧结体靶材之制造方法,其中,表示用以构成所制得之靶材的ZnS之结晶构造之X射线绕射图之波峰强度比得满足下式:0≦I(w100)/(I(zb111)+I(w002))≦0.2其中,I(w100)为纤锌矿型构造的(100)绕射波蜂的强度、I(w002)为纤锌矿型构造的(002)绕射波峰的强度、I(zb111)为闪锌矿型构造的(111)绕射波峰的强度、(I(zblll)+I(w002))为重叠观测之绕射波峰的强度。14.如申请专利范围第12项之硫化锌-二氧化矽烧结体靶材之制造方法,其中,表示用以构成所制得之靶材的ZnS之结晶构造之X射线绕射图之波峰强度比得满足下式:0≦I(w100)/(I(zb111)+I(w002))≦0.2其中,I(w100)为纤锌矿型构造的(100)绕射波峰的强度、I(w002)为纤锌矿型构造的(002)绕射波峰的强度、I(zb111)为闪锌矿型构造的(111)绕射波峰的强度、(I(zblll)+I(w002))为重叠观测之绕射波蜂的强度。15.如申请专利范围第11至14项中任一项之硫化锌-二氧化矽烧结体靶材之制造方法,其中,原料之ZnS粉末或ZnS与SiO2粉末的混合粉末,于真空中加热时所释出的气体之分析中,在300℃~500℃的范围未见有H2S的释出波峰。16.如申请专利范围第11至14项中任一项之硫化锌-二氧化矽烧结体靶材之制造方法,其中,原料之ZnS粉末的平均粒径为3m以下。17.如申请专利范围第11至14项中任一项之硫化锌-二氧化矽烧结体靶材之制造方法,其中,制得之靶材的抗折强度为4kgf/mm2以上。18.如申请专利范围第15项之硫化锌-二氧化矽烧结体靶材之制造方法,其中,原料之ZnS粉末的平均粒径为3m以下。19.如申请专利范围第15项之硫化锌-二氧化矽烧结体靶材之制造方法,其中,制得之靶材的抗折强度为4kgf/mm2以上。20.如申请专利范围第16项之硫化锌-二氧化矽烧结体靶材之制造方法,其中,制得之靶材的抗折强度为4kgf/mm2以上。 |
