| 主权项 |
1.一种检验方法,该方法包含之步骤有:使用一微影装置将一具有至少一维对称之测试图案印在一基板上,该图案系对于至少一种可能存在于该微影装置中的像差敏感;使用一散射测定计,测量该测试图案之一反射光谱;及由该反射光谱导出该至少一种存在于该微影装置中之像差量的指标资讯。2.如申请专利范围第1项之检验方法,其中该测试图案包含一双条棒式格栅。3.如申请专利范围第2项之检验方法,其中该导出资讯之步骤包含以内部与外部工作比作为参数重新建构该双条棒式格栅,以便导出该微影装置中之彗形像差的指标资讯。4.如申请专利范围第1、2或3项之检验方法,其中该测试图案包含一六角形的点阵列。5.如申请专利范围第4项之检验方法,其中该导出资讯之步骤包含重新建构该筝点之直径,阵列之各个单元胞体中的点直径差异系为微影装置中之3波段像差的指标。6.如申请专利范围第1项之检验方法,其中该测试图案包含第一、第二与第三同样基本对称形式之构造,该第一以及第二构造具有与该基本对称形式相等但相反之不对称差异;且与该第二构造相比,该第三构造具有一另外的不对称差异。7.如申请专利范围第6项之检验方法,其中该导出资讯之步骤包含使从该第一与第二构造所得到的散射测量讯号之间的差异除以由该第三与第二构造所得到的散射测量讯号之间的差异。8.如申请专利范围第6或7项之检验方法,其中该第一、第二与第三构造系为双条棒式格栅,该第一构造具有宽度为w1与w2之条棒,其中w1系大于w2;该第二构造系为第一构造之一镜像构造,且该第三构造具有宽度为w2+d与w1-d之条棒,其中d系小于w1-w2。9.如申请专利范围第1、2或3项之检验方法,其中该散射测定计系为一正向照射式散射测定计。10.一种元件制造方法,该方法包含之步骤有:提供一基板,该基板系至少部分覆盖有一层放射敏感材料;利用一放射系统提供一放射投影光束;使用图案形成构件,以便使投影光束在其横剖面具有一图案;将该具有图案之放射光束投影到该层放射敏感材料的一个目标部分上;其特征在于:该图案包含一表现一加工层之图案、以及一具有至少一维对称的测试图案,该测试图案系对于至少另一种可能存在于该微影装置中之像差敏感;且藉着进一步之步骤:使用一散射测定计,以测量该测试图案之反射光谱;及由反射光谱导出该至少一种存在于该微影装置中之像差量的指标资讯。图式简单说明:图1显示一能够用以实施根据本发明之方法的微影投影装置;图2系为根据本发明之一实施例的一微影制程之流程图;图3显示一能够用于根据本发明之方法的散射测定计;图4显示一根据本发明之一第一方法中所使用的格栅图案;图5显示一在本发明之一第二实施例中所使用的格栅图案;及图6显示三个根据本发明之一第三方法中所使用的格栅图案。 |
