| 主权项 |
1.一种有机发光元件,包含有:一阳极;一阴极;一有机发光层,介于该阳极与该阴极之间,该有机发光层系发射蓝光,该有机发光层包括:一第一有机发光材料;一第二有机发光材料,系为该第一有机发光材料之掺杂物(dopant),且该第二有机发光材料之能隙大于该第一有机发光材料之能隙。2.依据申请专利范围第1项所述之有机发光元件,其中该有机发光元件更包括:一电洞传输层,系设于该阳极与该有机发光层之间,以及一电子传输层,系设于该阴极与该有机发光层之间。3.依据申请专利范围第1项所述之有机发光元件,其中该有机发光层包括一第三有机发光材料,该第三有机发光材料系为该第一有机发光材料之掺杂物(dopant),且该第三有机发光材料之能隙小于该第一有机发光材料之能隙。4.依据申请专利范围第3项所述之有机发光元件,其中该有机发光元件更包括:一电洞传输层,系设于该阳极与该有机发光层之间,以及一电子传输层,系设于该阴极与该有机发光层之间。5.依据申请专利范围第1项所述之有机发光元件,其中该第二有机发光材料之最低空轨道(LUMO)的绝对値小于该第一有机发光材料之最低空轨道(LUMO)的绝对値。6.依据申请专利范围第1项所述之有机发光元件,其中该第二有机发光材料之最高占据轨道(HOMO)的绝对値大于该第一有机发光材料之最高占据轨道(HOMO)的绝对値。7.依据申请专利范围第1项所述之有机发光元件,其中该第二有机发光材料之最低空轨道(LUMO)的绝对値小于该第一有机发光材料之最低空轨道(LUMO)的绝对値;该第二有机发光材料之最高占据轨道(HOMO)的绝对値大于该第一有机发光材料之最高占据轨道(HOMO)的绝对値。8.依据申请专利范围第1项所述之有机发光元件,其中该第二有机发光材料的掺杂浓度为该第一有机发光材料的1%至50%。9.依据申请专利范围第1项所述之有机发光元件,其中该第二有机发光材料系选自star-burst类化合物、N-arylimidazoles衍生物、triazole衍生物、oxadiazole衍生物、triaryl amine、biphenyl amine衍生物、1,3-butadiene e衍生物、hydroxyquino metal complex或phenanthroline衍生物材料之一者。10.依据申请专利范围第1项所述之有机发光元件,其中该第一有机发光材料系选自perylene衍生物、dipyrazolopyridine衍生物、distyrylarylene、bis(styryl)amine衍生物或其他共轭苯环型材料之一者。11.一种有机发光元件,包含有:一阳极;一电洞传输层,系形成于该阳极上;一有机发光层,形成于该电洞传输层上,该有机发光层系发射蓝光,该有机发光层包括:一第一有机发光材料;一第二有机发光材料,系为该第一有机发光材料之掺杂物(dopant),且该第二有机发光材料之能隙大于该第一有机发光材料之能隙;一电子传输层,形成于该有机发光层上;一阴极,系形成于该电子传输层上。12.一种有机发光元件,包含有:一阳极;一阴极;一有机发光层,介于该阳极与该阴极之间,该有机发光层发射蓝光,该有机发光层包括一第一有机发光材料、一第二有机发光材料及一第三有机发光材料,该第二有机发光材料及该第三有机发光材料系均为该第一有机发光材料之掺杂物(dopant),且该第二有机发光材料之能隙大于该第一有机发光材料之能隙,该第三有机发光材料之能隙小于该第一有机发光材料之能隙。图式简单说明:第一图系本发明一较佳实施例之结构示意图。第二图系本发明上述较佳实施例之能隙图。第三图类同第二图,说明第二有机发光材料之最高占据轨道绝对値等于第一有机发光材料之最高占据轨道绝对値。第四图类同第二图,说明第二有机发光材料之最高占据轨道绝对値小于第一有机发光材料之最高占据轨道绝对値。第五图类同第二图,说明第二有机发光材料之最低空轨道绝对値等于第一有机发光材料之最低空轨道绝对値。第六图类同第二图,说明第二有机发光材料之最低空轨道绝对値大于第一有机发光材料之最低空轨道绝对値。第七图系本发明上述较佳实施例之电流密度与发光效率关系图。第八图系本发明上述较佳实施例之CIE座标图。第九图系本发明发光元件未掺杂IDE102材料时之能隙图。第十图类同第九图,说明第二有机发光材料之最高占据轨道绝对値等于第一有机发光材料之最高占据轨道绝对値。第十一图类同第九图,说明第二有机发光材料之最高占据轨道绝对値小于第一有机发光材料之最高占据轨道绝对値。第十二图类同第九图,说明第二有机发光材料之最低空轨道绝对値等于第一有机发光材料之最低空轨道绝对値。第十三图类同第九图,说明第二有机发光材料之最低空轨道绝对値大于第一有机发光材料之最低空轨道绝对値。 |
