发明名称 光调制散射振子及其阵列
摘要 本发明揭示一种光调制散射振子及其阵列。该光调制散射振子包含一基板、一设置于该基板上之天线、一连接该天线之光开关及一用以传送一光调制讯号至该光开关之光波导。该天线可包含设置于该基板表面之一第一导线段及一第二导线段,而该光开关包含连接于该第一导线段及该第二导线段之第一电极及第二电极。该天线亦可为一具有二端点之环形天线,且该光开关连接该二端点。该光调制散射振子阵列可包含一第一基板、一第二基板以及复数个设置于该第一基板及该第二基板上之光调制散射振子。该光调制散射振子可形成一维阵列、二维阵列或三维阵列。
申请公布号 TWI237957 申请公布日期 2005.08.11
申请号 TW092136918 申请日期 2003.12.25
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 黄铭杰;梁文烈;薛文崇
分类号 H04B15/00 主分类号 H04B15/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种光调制散射振子,包含:一基板;一天线,设置于该基板上;一光开关,电气连接于该天线;以及一光波导,用以传送一光讯号至该光开关。2.如申请专利范围第1项之光调制散射振子,其中该天线包含设置于该基板表面之一第一导线段及一第二导线段,且该光开关电气连接该第一导线段及该第二导线段。3.如申请专利范围第1项之光调制散射振子,其中该天线系一具有二自由末端之环形天线,且该光开关连接该二自由末端。4.如申请专利范围第1项之光调制散射振子,其中该光开关包含:一砷化镓基板;一第一电极,设置于该砷化镓基板上;以及一第二电极,设置于该砷化镓基板上。5.如申请专利范围第4项之光调制散射振子,其中该第一电极与该第二电极系呈指叉交错状排列,且该光波导系对准该呈指叉交错状排列之区域。6.如申请专利范围第4项之光调制散射振子,其中该第一电极与该砷化镓基板系呈欧姆接触。7.如申请专利范围第1项之光调制散射振子,其另包含一用以将该光波导固定于该基板上之套管。8.如申请专利范围第1项之光调制散射振子,其中该基板系由非导体之材质构成。9.如申请专利范围第8项之光调制散射振子,其中该基板之材质系云母材质。10.如申请专利范围第8项之光调制散射振子,其中该光讯号系穿透该基板而传送至该光开关。11.如申请专利范围第1项之光调制散射振子,其中该基板包含一开口,而该光波导系经由该开口将该光讯号传送至该光开关。12.一种光调制散射振子阵列,包含:一第二基板;以及复数个光调制散射振子,设置于该第二基板上,其中该光调制散射振子包含:一第一基板;一天线,设置于该第一基板上;一光开关,电气连接于该天线;以及一光波导,用以传送一光讯号至该光开关。13.如申请专利范围第12项之光调制散射振子阵列,其中该第一基板包含一第一开口,而该光波导系经由该第一开口将该光讯号传送至该光开关。14.如申请专利范围第12项之光调制散射振子阵列,其另包含:一第三基板,垂直于该第二基板;以及复数个光调制散射振子,设置于该第三基板上。15.如申请专利范围第12项之光调制散射振子阵列,其中该复数个光调制散射振子形成一维阵列或二维阵列。16.一种光调制散射振子阵列,包含:一第一基板;复数个天线,以阵列排列方式设置于该第一基板上;复数个光开关,电气连接于该复数个天线;以及复数个光波导,用以传送一光讯号至该复数个光开关。17.如申请专利范围第16项之光调制散射振子阵列,其中该复数个天线系以垂直之方式设置于该第一基板上。18.如申请专利范围第16项之光调制散射振子阵列,其中该第一基板包含一开口,而该光波导系经由该开口将该光讯号传送至该光开关。19.如申请专利范围第16项之光调制散射振子阵列,其另包含:一第二基板,垂直于该第一基板;以及复数个天线,以阵列排列方式设置于该第二基板上。20.如申请专利范围第16项之光调制散射振子阵列,其中该复数个天线系以一维或二维阵列排列方式设置于该第一基板上。图式简单说明:图1例示本发明第一实施例之光调制散射振子;图2系本发明之光开关之示意图;图3例示本发明第二实施例之光调制散射振子;图4例示本发明第三实施例之光调制散射振子;图5例示本发明第一实施例之光调制散射振子阵列;图6例示本发明第二实施例之光调制散射振子阵列;图7例示本发明第三实施例之光调制散射振子阵列;图8例示本发明第四实施例之光调制散射振子阵列;图9例示本发明第五实施例之光调制散射振子阵列;图10例示本发明之第六实施例之光调制散射振子阵列;图11例示本发明之第七实施例之光调制散射振子阵列;图12系一习知可避免电磁干扰之电磁场侦测系统。
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