| 主权项 |
1.一种以准分子雷射照射处理提升氧化铟锡薄膜表面功函数之方法,其系以准分子雷射照射氧化铟锡薄膜表面,以增加其表面功函数,而准分子雷射光之强度范围系介于数十至数百mJ/cm2、频率范围为0~100 Hz,照射时间为五分钟至数十小时。2.依申请专利范围第1项所述之以准分子雷射照射处理提升氧化铟锡薄膜表面功函数之方法,其中该ITO膜之膜厚介于数奈米至数百奈米之间。3.依申请专利范围第1项所述之以准分子雷射照射处理提升氧化铟锡薄膜表面功函数之方法,其中所使用之准分子雷射的种类可为下列雷射之其中一种:波长126nm之Ar2准分子雷射;波长146nm之Kr2准分子雷射;波长157nm之F2准分子雷射;波长172nm之Xe2准分子雷射;波长190nm之ArF准分子雷射;波长193nm之XeF准分子雷射;波长250nm之KrF准分子雷射;以及波长350nm之XeCl准分子雷射。4.依申请专利范围第1项所述之以准分子雷射照射处理提升氧化铟锡薄膜表面功函数之方法,其中氧化铟锡薄膜于照射雷射光之前先进行表面清洁处理。5.依申请专利范围第4项所述之以准分子雷射照射处理提升氧化铟锡薄膜表面功函数之方法,其中表面清洁处理程序系将氧化铟锡薄膜置入丙酮中,用超音波隔水震荡清洗约三分钟,再置入去离子水中,用超音波隔水震荡清洗三分钟,最后用氮气枪吹乾。图式简单说明:第1图系本发明之方法的流程示意图第2图系ITO膜试片经率分子雷射以不同时间照射后,其电阻变化和雷射照射时间关系图第3图系各ITO膜试片经准分子雷射以不同时间照射后其价带能谱图第4图系各ITO膜试片经准分子雷射以不同时间照射后其Ols能谱图第5图系现有之有机发光二极体的基本结构示意图第6图系元件操作过程中注入阳极的电洞与阴极的电子在发光层结合而形成电子-电洞复合之示意图 |
