发明名称 形成多层互连结构之方法,制造电路板之方法及制造装置之方法
摘要 本发明之形成多层互连结构的方法形成多层互连结构,其中第一导电层和第二导电层经由绝缘层堆叠,第一导电层和第二导电层经由形成于绝缘层的通孔连接。该方法包含下列步骤:在基板上形成第一导电层,在第一导电层上形成具有通孔的绝缘层,使用液滴排出装置将导电材料填入通孔以形成接触导电材料,形成第二导电层而接到接触导电材料。
申请公布号 TWI237848 申请公布日期 2005.08.11
申请号 TW093119854 申请日期 2004.06.30
申请人 精工爱普生股份有限公司 发明人 田中英树;汤田一夫;佐藤充
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种形成多层互连结构的方法,包括:在基板上形成第一导电层;在第一导电层上形成具有接触孔的绝缘层;使用液滴排出装置以导电材料充填接触孔,形成导电接触构件;形成第二导电层,经由导电接触构件电连接第一导电层。2.如申请专利范围第1项之形成多层互连结构的方法,其中形成绝缘层包括:在第一导电层上的预定接触孔形成区形成光罩;在光罩除外的第一导电层上形成绝缘层;除去光罩,在绝缘层形成做为接触孔的通孔。3.如申请专利范围第2项之形成多层互连结构的方法,其中形成绝缘层包括:将液体绝缘材料涂在光罩除外的第一导电层;固化液体绝缘材料。4.如申请专利范围第1项之形成多层互连结构的方法,其中形成绝缘层包括形成多个绝缘层,形成穿过各绝缘层的多个接触孔,其中充填接触孔包括以导电材料充填穿过各绝缘层的接触孔。5.如申请专利范围第1项之形成多层互连结构的方法,其中导电材料的电阻系数低于第一导电层和/或第二导电层。6.如申请专利范围第1项之形成多层互连结构的方法,在充填接触孔后,并对第二导电层涂布导电材料来形成第二导电层后,另包括烘烤导电材料。7.如申请专利范围第1项之形成多层互连结构的方法,另包括:将导电材料填入接触孔后,烘烤导电材料;对第二导电层涂布导电材料后,烘烤第二导电层的导电材料。8.如申请专利范围第1项之形成多层互连结构的方法,其中形成第二导电层包括使用液滴排出装置形成接线图形。9.一种制造电路板的方法,包括:在基板上形成第一导电层;在第一导电层上形成具有接触孔的绝缘层;使用液滴排出装置以导电材料充填接触孔,形成导电接触构件;形成第二导电层,经由导电接触构件电连接第一导电层。10.一种制造装置的方法,包括:在基板上形成第一导电层;在第一导电层上形成具有接触孔的绝缘层;使用液滴排出装置以导电材料充填接触孔,形成导电接触构件;形成第二导电层,经由导电接触构件电连接第一导电层。图式简单说明:图1A至1C是剖面图,显示本实施例之电路板的制程。图2A至2C是剖面图,显示图1A至1C后之电路板的制程。图3是剖面图,显示本实施例之制法所得的电路板实例。图4是剖面图,显示本实施例之制法所得的装置实例。图5A至5D是剖面图,显示本实施例之装置的制程。图6A至6C是剖面图,显示图5A至5D后之装置的制程。图7A至7C是剖面图,显示图6A至6C后之装置的制程。图8A至8C是剖面图,显示图7A至7C后之装置的制程。图9是透视图,显示用于本实施例的液滴排出装置结构。图10A至10B是图9之主要组件的透视图和剖面图。
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