| 主权项 |
1.一种覆晶封装结构,用以封装晶片,包括:一阻焊层,位于一封装基板之上表面,并具有开口以定义该封装基板上连接点的位置;一预焊料层,填于该开口内;至少一无铅导电凸块(Bump),由该晶片表面之接触垫向下延伸至该开口内,而该预焊料层系受到该无铅导电凸块表面之润湿力(Wetting force)作用,向上流动覆盖该无铅导电凸块至少80%之裸露侧面;以及一绝缘层(Under-fill Layer),填充于该晶片与该封装基板间,并包覆该无铅导电凸块与该预焊料层之裸露表面。2.如申请专利范围第1项之覆晶封装结构,其中该无铅导电凸块系呈柱状(column)。3.如申请专利范围第1项之覆晶封装结构,其中该阻焊层开口与该无铅导电凸块之尺寸比为0.5-1.5。4.如申请专利范围第1项之覆晶封装结构,更包括一保护层位于该晶片之表面,并且,该保护层具有开口以定义该晶片表面之接触垫的位置。5.如申请专利范围第1项之覆晶封装结构,其中该无铅导电凸块材料之熔点系高于该预焊料层之再流动温度。6.如申请专利范围第1项之覆晶封装结构,其中该无铅导电凸块系以铜为材质。7.如申请专利范围第1项之覆晶封装结构,其中该预焊料层系以有铅焊料或无铅焊料为材质。8.如申请专利范围第1项之覆晶封装结构,其中该预焊料层系完全包覆该无铅导电凸块。9.一种制作覆晶封装结构之方法,包括:提供一晶片,该晶片表面具有至少一无铅导电凸块,而该无铅导电凸块表面具有一防氧化之表面保护层;提供一基板,该基板表面具有阻焊层定义该晶片与该基板间之连接位置;形成预焊料层于该阻焊层之开口内,该预焊料层的再流动温度系低于该无铅导电凸块之熔点;加热该预焊料层至其可再流动温度之上;将该晶片倒置于该基板上,该无铅导电凸块系置入该阻焊层之开口内,并向下压迫该预焊料层,使该该预焊料层向上流动覆盖该无铅导电凸块至少80%之裸露侧面,同时,该表面保护层系受热消失;及填充绝缘材料于该晶片与该基板之间。10.如申请专利范围第9项之方法,其中,该晶片之制作步骤包括:制作导电图案层于该晶片之表面;制作光阻图案于该导电图案层之裸露表面,以定义该无铅导电凸块之位置;填入导电材料于该光阻图案之开口内,以制作该无铅导电凸块;去除该光阻图案;及制作一防氧化之表面保护层覆盖该无铅导电凸块之裸露表面。11.如申请专利范围第9项之方法,其中该预焊料层系完全包覆该无铅导电凸块。12.如申请专利范围第9项之方法,其中该表面保护层系一有机表面保护层(Organic Surface Passivation, OSP)。13.如申请专利范围第9项之方法,其中该无铅导电凸块系呈柱状(column)。14.如申请专利范围第9项之方法,其中该无铅导电凸块系以铜为材质。15.如申请专利范围第9项之方法,其中该预焊料层系以有铅焊料或无铅焊料所构成。图式简单说明:第一A至F图系美国专利案第6578754B1号"PILLARCONNECTIONS FOR SEMICONDUCTOR CHIPS AND METHOD OF MANUACTURE"之发明案中,覆晶封装方法之流程的示意图。第二A至H图系本发明覆晶封装方法一较佳实施例之示意图。 |
