发明名称 高分子化合物、光阻材料及图型之形成方法
摘要 一种高分子化合物,其系含有氟化马来酸酐及/或马来醯亚胺为重复单位者;本发明之光阻材料,可感应高能量线,除对200 nm以下,特别是对170nm以下波长具有优良之感度、解像性、等离子蚀刻耐性。因此本发明之光阻材料,因具有此些特性,故特别是可制得对F2等离子雷射之曝光波长吸收较少的光阻材料,且可容易地形成微细且对基板为垂直之图型,所以极适合作为制造超LSI所使用之微细图型的形成材料。
申请公布号 TWI237737 申请公布日期 2005.08.11
申请号 TW090103631 申请日期 2001.02.16
申请人 信越化学工业股份有限公司 发明人 山润;渡边淳;原田裕次
分类号 G03F7/004;G03F7/38 主分类号 G03F7/004
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种高分子化合物,其系含有下式(1)所示重复单 位之高分子化合物: (式中,重复单位a可为单环、杂环或有桥环式之环 状烃单位,Rp为含有酸不稳定基或亲水性基之取代 基;n为0至3之整数;重复单位b为氟化马来酸或马来 醯亚胺单位;X为氧原子或-NRq-;Rq为包含氢原子、碳 数1-10直链状、支链状或环状烷基、羟基、羧基或 含酸不稳定基之取代基;R1、R2为氢原子、氟原子 、或碳数1至20之直链状、支链状或环状烷基或氟 化烷基;R1、R2中至少1个含有氟原子)。 2.一种高分子化合物,其系含有申请专利范围第1项 之高分子化合物的重复单位a、b外,尚含有下记式( 1)-2所示重复单位c者; (式中,R01、R02、R03为氢原子、氟原子、碳数1至10 之直链状、环状或支链状烷基或氟化烷基、或氰 基;R0为酸不稳定基)。 3.一种光阻材料,其特征系含有申请专利范围第1或 2项之高分子化合物者。 4.一种增强化学性正型光阻材料,其特征系含有 (A)申请专利范围第1或2项之高分子化合物, (B)有机溶剂, (C)酸产生剂。 5.如申请专利范围第4项之光阻材料,其尚含有硷性 化合物。 6.如申请专利范围第4或5项之光阻材料,其尚含有 溶解阻碍剂。 7.一种图型之形成方法,其特征系包含 (1)将申请专利范围第3至6项中任一项之光阻材料 涂布于基板上之步骤与, (2)于加热处理后,介由光罩使用波长300nm以下之高 能量线或电子线进行曝光之步骤与, (3)必要时于加热处理后,使用显影液进行显影之步 骤。
地址 日本