| 主权项 |
1.一种上发光型有机发光二极体画素之制程,其系 为以互补式金氧半导体(CMOS)驱动者,其步骤包括: (a)提供一基板,在该基板上定义出至少两多晶矽岛 (Poly-si Island); (b)在该基板上定义出N+植入之区域; (c)依序沉积上一闸极绝缘层与一闸极金属层,并定 义出闸极; (d)进行N-植入,以形成轻掺杂汲极(LDD)区域; (e)以光阻只盖住N型元件预定处,并将P型元件之预 定区域露出,以进行P+掺杂; (f)沉积一层间介电层,并挖开接触洞;以及 (g)沉积上一源极/汲极金属层,定义出源极/汲极图 案,且该源极/汲极金属延伸至上发光型有机发光 二极体之画素区,以作为该上发光型有机发光二极 体的下电极。 2.如专利申请范围第1项所述之上发光型有机发光 二极体画素之制程,其中在步骤(g)之后更可包括一 步骤(h): 在该作为上发光型有机发光二极体之下电极的源 极/汲极金属层上,依序形成一有机发光层及一上 电极。 3.如专利申请范围第1项所述之上发光型有机发光 二极体画素之制程,其中在步骤(g)之后更可包括一 步骤(g1): 在该部分层间介电层上形成被动保护层。 4.如专利申请范围第1项所述之上发光型有机发光 二极体画素之制程,其中在步骤(d)所述之进行N-植 入形成轻掺杂汲极区域,系以进行自我对准式的N- 植入所完成。 5.如专利申请范围第1项所述之上发光型有机发光 二极体画素之制程,其中在步(e)中,在光阻盖住N型 元件预定处之其他以外区域则为自我对准植入。 6.如专利申请范围第1项所述之上发光型有机发光 二极体画素之制程,其中所述之基板系为玻璃、塑 胶、石英或矽晶其中一种所形成。 7.如专利申请范围第1项所述之上发光型有机发光 二极体画素之制程,其中所述之闸极金属层系为铝 、铬、钼、铜等至少其中一种金属所组成。 8.如专利申请范围第1项所述之上发光型有机发光 二极体画素之制程,其中所述之源极/汲极金属系 为铝、铬、钼、铜等至少其中一种金属所组成。 9.一种上发光型有机发光二极体画素之制程,其系 为以P型薄膜电晶体驱动者,其步骤包括: (a)提供一基板,在该基板上定义出至少一多晶矽岛 ; (b)依序沉积上一开极绝缘层与一闸极金属层,并定 义出闸极; (c)进行P+掺杂; (d)沉积一层间介电层,并挖开接触洞; (e)沉积上一源极/汲极金属层,定义出源极/汲极图 案,且该源极/汲极金属延伸至上发光型有机发光 二极体之画素区,以作为该上发光型有机发光二极 体的下电极。 10.如专利申请范围第9项所述之上发光型有机发光 二极体画素之制程在步骤(g)之后更可包括一步骤( h): 在该作为上发光型有机发光二极体之下电极的源 极/汲极金属层上,依序形成一有机发光层及一上 电极。 11.如专利申请范围第9项所述之上发光型有机发光 二极体画素之制程在步骤(g)之后更可包括一步骤( g1): 在该层间介电层之部分区域上形成被动保护层。 12.如专利申请范围第9项所述之上发光型有机发光 二极体画素之制程,其中在步骤(c)所述之进行P+掺 杂,系以进行自我对准式的P+植入所完成。 13.如专利申请范围第9项所述之上发光型有机发光 二极体画素之制程,其中所述之基板系为玻璃、塑 胶、石英或矽晶其中一种所形成。 14.如专利申请范围第9项所述之上发光型有机发光 二极体画素之制程,其中所述之闸极金属层系为铝 、铬、钼、铜等至少其中一种金属所组成。 15.如专利申请范围第9项所述之上发光型有机发光 二极体画素之制程,其中所述之源极/汲极金属系 为铝、铬、钼、铜等至少其中一种金属所组成。 16.一种上发光型有机发光二极体画素之结构,其包 括有: 一薄膜电晶体,该电晶体系用以驱动上发光型有机 发光二极体者,该电晶体系包括有定义完成之至少 一源极/汲极图案之一源极/汲极金属层; 一上发光型有机发光二极体,其包括有一上电极、 一有机发光层及一下电极; 其特征在于: 该上发光型有机发光二极体之下电极系为由该薄 膜电晶体之源极/汲极金属层延伸至该上发光型有 机发光二极体之画素区所形成。 17.如专利申请范围第16项所述之上发光型有机发 光二极体画素之结构,其中所述之源极/汲极金属 系为铝、铬、钼、铜等至少其中一种金属所组成 。 图式简单说明: 图一系典型有机发光二极体画素之结构之示意图 。 图二系改良型上发光有机发光二极体画素之结构 示意图。 图三系习知以九道光罩完成之驱动有机发光二极 体画素的互补式金氧半导体结构示意图。 图四系习知以五道光罩完成之驱动有机发光二极 体画素的P型薄膜电晶体结构示意图。 图五A至图五H系本发明实施例以P型薄膜电晶体驱 动上发光型有机发光二极体画素之制程与结构示 意图。 图六A至图六H系本发明实施例以互补式金氧半导 体驱动上发光型有机发光二极体画素之制程与结 构示意图。 图七A及图七B系为典型有机发光二极体画素与本 发明实施例之上视图比较。 |
