| 主权项 |
1.一种主动阵列式基底,与一背基底(EL)共同构成一 显示面板,该主动阵列式基底包括: 一板件,具有一主面; 一多层装置结构,形成于该主面,其中包括用以形 成复数画素的导电层,且与复数画素电极相连; 一光学模组结构包含一黑矩阵,形成于该多层装置 结构,且具有复数滤光片设置于该等画素电极下方 ;以及 一保护结构,形成于该光学模组结构,覆盖于该黑 色矩阵及该等滤光片; 其特征在于: 该保护结构包括一保护层,该保护层系以感光材料 制成,并具有从其中一残留区域突出之至少一突出 部,该突出部系朝向该背基底的一内面,且该保护 层与该突出部系由相同材料所形成。 2.如申请专利范围第1项所述的主动阵列式基底,其 中该保护层系以单一种感光材料制成。 3.如申请专利范围第1项所述的主动阵列式基底,其 中该保护层之组成材料为一第一感光材料、一第 二感光材料、以及该第一与第二感光材料之一混 合物。 4.如申请专利范围第3项所述的主动阵列式基底,其 中该至少一突出部系以该第一感光材料形成,而该 残留区域系以该第二感光材料以及该混合物形成 。 5.如申请专利范围第3项所述的主动阵列式基底,其 中该第一感光材料与第二感光材料系分别为负型 感光树脂以及正型感光树脂。 6.如申请专利范围第1项所述的主动阵列式基底,其 中该导电层系作为复数复数闸线、选择性地连接 于该等闸线的复数场效应电晶体的复数闸电极、 电性绝缘于该等闸电极并以电容耦接该闸电极的 该场效应电晶体的复数半导体层、电性绝缘于该 等闸线的复数源线、选择性地连接该等源线并分 别接触该等半导体层之复数第一端部分的该场效 应电晶体的复数源电极、以及分别接触于该等半 导体层之第二部分的该等场效应电晶体的复数汲 电极;以及 该多层装置结构更包括形成于该等闸电极与半导 体层之间的一闸绝缘层、以及覆盖该等场效应电 晶体的一被动层。 7.如申请专利范围第6项所述的主动阵列式基底,其 中该等闸线与该等闸电极系形成与该主面,并以该 闸绝缘层包覆,而该等半导体层、该等源线、该等 源电极、以及该等汲电极系以该绝缘层以及该被 动层包夹。 8.如申请专利范围第7项所述的主动阵列式基底,其 中该滤光片系图案形成于该被动层,而该黑矩阵系 形成于该被动层并布置于该等闸线与闸电极上。 9.如申请专利范围第1项所述的主动阵列式基底,其 中该等画素电极,形成于该多层装置结构上方,并 连接于该等导电层中选择作为场效应电晶体之复 数汲电极者。 10.一种主动阵列式基底的制造方法,包括下列步骤 : (a)提供具有一主面之一板件; (b)形成一多层装置结构于该主面,而提供形成复数 画素的复数导电层,且与复数画素电极相连; (c)形成一光学模组结构包含一黑色矩阵于该多层 装置结构,而提供部分之该等画素复数滤光片设置 于该等画素电极下方; (d)以感光层覆盖该光模组结构,覆盖该黑色矩阵及 该等滤光片; (e)以一影像形成光曝光该感光层,以对一显影剂产 生不同溶解度之至少二区域; (f)以该显影剂施用于该感光层,以形成一保护层, 其中具有至少一突出部,由该保护层之一残留区域 突出;以及 (g)完成该主动式矩阵基底。 11.如申请专利范围第10项所述的方法,其中该感光 层系以一感光材料形成,而上述至少二区域系分别 不溶解、以及部分溶解于于该显影剂,藉以该不溶 解、以及部分溶解于于该显影剂的至少二区域分 别可产生该至少一突出部、以及该残留区域,该残 留区域系用以作为一覆盖层,包覆于该光学模组结 构。 12.如申请专利范围第11项所述的方法,其中该影像 形成光在到达该感光层前系通过一半光度光罩。 13.如申请专利范围第12项所述的方法,其中该半光 度光罩系使该影像形成光进一步地在该感光区产 生一区域,该区域可溶解于该显影剂,而产生到达 该导电层之一接触孔。 14.如申请专利范围第11项所述的方法,其中该影像 产生光在到达该感光层前系通过一狭缝光罩。 15.如申请专利范围第14项所述的方法,其中该狭缝 光罩系使该影像形成光进一步地在该感光区产生 一区域,该区域可溶解于该显影剂,而产生到达该 导电层之一接触孔。 16.如申请专利范围第10项所述的方法,其中该步骤( e)更包括次步骤: (e-1)以一第一次影像形成光,透过一第一光罩曝光 该感光层,而在该感光层形成该至少二区域之一者 ;以及 (e-2)以一第二次影像形成光,透过一第二光罩曝光 该感光层,而在该感光层形成该至少二区域之另一 者。 17.如申请专利范围第10项所述的方法,其中该步骤( d)更包括次步骤: (d-1)以一第一感光材料形成一第一次感光层于该 光学模组结构;以及 (d-2)以感光性与该第一感光材料相反的一第二感 光材料形成一第二次感光层于该第一次感光层,并 使该第一感光材料与第二感光材料形成一混和物 层于该第一次感光层与该第二次感光层的边界。 18.如申请专利范围第17项所述的方法,其中该步骤( e)中,该影像形成光系投射于该第二次感光层,用以 产生该至少二区域之一者于该第二次感光层,而该 第二次感光层系形成步骤(f)中的该突出部。 19.如申请专利范围第18项所述的方法,其中更包括 下列步骤: (h)以另一影像形成光曝光该第一次感光层,以产生 另一区域,该另一区域对另一显影剂的溶解度系不 同于该第一次感光层在步骤(f)后产生的一残留区 域;以及 (i)以该另一显影剂处理该第一次感光层以及该混 和物层,藉以于该步骤(h)与(g)之间,在该第一次感 光层与该混和物层产生一开口。 20.如申请专利范围第17项所述的方法,其中该第一 感光材料与第二感光材料系分别为正型感光树脂 以及负型感光树脂。 图式简单说明: 第1图系一平面图,显示该主动是矩阵基底的布局; 第2图系一剖面图,显示第1图沿B-B线的断面,并显示 一习知主动阵列式基底的结构; 第3图系一剖面图,显示习知主动阵列式基底的闸 终端的结构; 第4图系一剖面图,显示习知主动阵列式基底的资 料终端的结构; 第5A至5C图系剖面图,显示习知主动阵列式基底的 生产程序; 第6A至6H图系剖面图,显示第二习知主动阵列式基 底的生产程序; 第7A至7C图系剖面图,显示第三习知主动阵列式基 底的生产程序; 第8A至8F图系接面图,显示第四习知主动阵列式基 底的的生产程序; 第9图系一电路图,显示本发明之一主动式液晶显 示面板的电路结构; 第10图系一平面图,显示构成一主动式液晶显示面 板的复数讯号线与复数电极的布局; 第11图系一平面图,显示一画素电极、一滤色片、 一黑阵列以及构成主动阵列式基底布局之一行间 隔物间的关系; 第12图系一剖面图,显示第10图A-A线对应的断面,而 显示该主动阵列式基底的结构; 第13A至13H图系剖面图,显示一种制造本发明之主动 阵列式基底的方法; 第14图系一剖面图,显示对应于一感光层之一半光 度光罩; 第15图系一图表,显示在三个不同区域中残留之感 光层的比率; 第16图系一图表,显示透明度与相关之曝光之间的 关系; 第17图系一剖面图,显示一图案转移步骤,用于本发 明产生一主动阵列式基底之另一方法; 第18A至18B图系剖面图,显示一图案转移步骤,用于 本发明产生一主动阵列式基底之再另一方法;以及 第19A至19E图系剖面图,显示太发明产生一主动阵列 式基底之又另一方法之基本步骤。 |
