| 主权项 |
1.一种用于半导体晶片平面化的研磨垫,系包含: 一研磨垫表面; 一系列多面附属物形成于研磨垫表面上,其中每个 多面附属物具有与研磨垫的运动方向呈直角排列 之一面,且其中在多面附属物当中的每一个面均有 研磨的表面属性,而一单独之多面附属物的每个研 磨表面属性均具有不同的研磨属性的性质。 2.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中有研磨泥浆 沈积于研磨垫表面上,且其中该研磨泥浆与研磨表 面属性相结合以便将半导体晶片平面化。 3.如申请专利范围第2项之研磨垫,其中一个不同的 研磨泥浆被沈积于该研磨垫表面上以进一步改变 研磨垫的研磨属性。 4.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中每个多面附 属物均向外倾斜一个特定的角度。 5.如申请专利范围第4项之研磨垫,其中每个多面附 属物也是以同一个方向倾斜。 6.如申请专利范围第1项之研磨垫,该系列多面附属 物系由具弹性的材料所形成。 7.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中关于该研磨 垫之单一移动方向成垂直方式排列的该系列多面 附属物的所有面具有相同研磨性质之研磨表面。 8.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中研磨垫可以 在两个相反方向当中的一个移动,而每一个多面附 属物均有一个三角形横断面。 9.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中该研磨垫可 以在两个相反方向当中的一个移动,每一个多面附 属物有一个半圆横断面,其第一磨光表面位于半圆 的一部分上,而一个第二磨光表面位于该半圆之第 二部分上。 10.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中该研磨垫 可以在两个相反方向当中的一个移动,而每个多面 附属物是一个具有轴体和端点的圆柱形轴。 11.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中该研磨垫 是一个磨光带,且其中该系列多面附属物是以线性 的方式排列而垂直于磨光带的移动轴。 12.如申请专利范围第11项之研磨垫,其中每一个多 面附属物是具有两个面的三角脊,且其中一第一面 系被排列面向一第二面之相反方向。 13.如申请专利范围第12项之研磨垫,其中该研磨带 可以在两个相反方向当中的一个移动,且其中当该 研磨带于一第一方向移动时,每个多面附属物只有 一第一磨光表面是面对半导体晶片,且其中,当该 磨光带于一第二方向移动时,每个多面附属物只有 一第二磨光表面是面对半导体晶片。 14.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中该研磨垫 是一个磨光碟,且其中该系列多面附属物是以源自 磨光碟的中心之幅射状形式排列而垂直于磨光碟 之转动方向。 15.如申请专利范围第14项之研磨垫,其中每个多面 附属物是具有两个面的三角脊,且其中第一面所面 对的方向与第二面相反。 16.如申请专利范围第1项之研磨垫,该磨光碟可以 在两个相反的方向当中的一个转动,而其中当该磨 光碟于第一方向转动的时候,每个多面附属物只有 第一磨光表面是面对半导体晶片,且在其中,当该 磨光带于第二方向移动时,每个多面附属物只有第 二磨光表面是面对半导体晶片。 17.一种将半导体晶片平面化的方法,系包含: 使具有一系列多面附属物的研磨垫于第一方向移 动; 将该半导体晶片施加到移动中的研磨垫; 使研磨垫于第二方向移动;以及 将该半导体晶片施加到移动中的研磨垫。 18.如申请专利范围第17项之方法,进一步包含在研 磨垫于第一方向移动之前施用第一研磨泥浆的步 骤。 19.如申请专利范围第18项之方法,进一步包含在研 磨垫于第二方向移动之前施用第二研磨泥浆的步 骤。 20.如申请专利范围第19项之方法,其中第一与第二 研磨泥浆有不同的属性。 21.如申请专利范围第19项之方法,其中第一与第二 研磨泥浆有相同的属性。 22.如申请专利范围第17项之方法,其中每个多面附 属物上之面系垂直于研磨垫的第一和第二移动方 向。 23.如申请专利范围第17项之方法,进一步包含: 在第一施用步骤之后,自研磨垫移去半导体晶片; 以及在移去半导体晶片之后,将磨光垫停止。 24.如申请专利范围第17项之方法,该研磨垫是一个 磨光带,而第一与第二方向是互相呈线性相对。 25.如申请专利范围第17项之方法,其中该研磨垫是 一个磨光碟,而第一与第二方向是互相呈角度相对 。 26.如申请专利范围第17项之方法,其中第一与第二 施用步骤之压力大小和期间可依所须之平面化程 度而改变。 图式简单说明: 图1a和1b说明一个上视图以及一个用于将半导体晶 片平面化的磨光碟之详细图; 图2a和2b说明一个上视图以及用于将半导体晶片平 面化的磨光带之详细等量图; 图3说明一个磨光带之横断面图根据本发明之较佳 实施例,该磨光带系用于提供数个不同的研磨性质 ,依磨光带移动之方向而定; 图4a及4b说明图3显示所使用的磨光带系根据本发 明之较佳实施例以便提供不同的研磨性质;以及 图5a-5c说明不同替代方案的具体实施例之磨光带 断面图,该磨光带提供不同研磨性质,视其移动的 方向而定。 |
