| 主权项 |
1.一种用以自底质清除残渣之不含有机铵和胺羧 酸盐的组合物,其包含0.01重量%至5重量%一或多种 氟化合物、20重量%至50重量%水、20重量%至80重量% 有机醯胺溶剂和0重量%至50重量%有机亚溶剂,该 组合物的pH介于7和10之间。 2.根据申请专利范围第1项之组合物,其中,另包含 胺。 3.根据申请专利范围第2项之组合物,其中,胺是烷 醇胺。 4.根据申请专利范围第3项之组合物,其中,烷醇胺 是一乙醇胺。 5.根据申请专利范围第1项之组合物,其中,另包含 腐蚀抑制剂。 6.根据申请专利范围第1项之组合物,其中,另包含 钳合剂。 7.根据申请专利范围第1项之组合物,其中,另包含 界面活性剂。 8.根据申请专利范围第1项之组合物,其中,另包含 酸。 9.根据申请专利范围第1项之组合物,其中,另包含 硷。 10.根据申请专利范围第1项之组合物,其中,包含氟 化铵、水和N,N-二甲基乙醯胺。 11.根据申请专利范围第7项之组合物,其中,另包含 二甲亚。 12.根据申请专利范围第1项之组合物,其中,包含氟 化铵、水、N,N-二甲基乙醯胺和胺。 13.根据申请专利范围第1项之组合物,其中,包含氟 化铵、水、N,N-二甲基乙醯胺和烷醇胺。 14.根据申请专利范围第1项之组合物,其中,包含氟 化铵、水、羟基胺、烷醇胺、钳合剂和腐蚀抑制 剂。 15.一种用以清除底质之残渣的方法,其包含使底质 与不含有机铵和胺羧酸盐但包含一或多种氟化合 物、水和有机醯胺溶剂的组合物于足以清理底质 的温度接触足够时间。 16.根据申请专利范围第15项之方法,其中,温度由20 至100℃。 17.根据申请专利范围第16项之方法,其中,温度是25 至45℃。 18.根据申请专利范围第16项之方法,其中,时间由3 分钟至10分钟。 19.根据申请专利范围第15项之方法,其中,组合物包 含0.01重量%至5重量%一或多种氟化合物、20重量%至 50重量%水、20重量%至80重量%有机醯胺溶剂,该组合 物的pH介于7和10之间。 20.根据申请专利范围第19项之方法,其中,组合物另 包含高至50重量%有机亚溶剂。 21.根据申请专利范围第20项之方法,其中,组合物另 包含胺。 22.根据申请专利范围第21项之方法,其中,胺是烷醇 胺。 23.根据申请专利范围第22项之方法,其中,烷醇胺是 一乙醇胺。 图式简单说明: 附图1A是实施本发明时,组合物之组成与所得腐蚀 结果的三角关系图示。 附图1B-1C是半导体晶圆经过附图1A的三角关系图中 所示组成处理之后,一部分半导体晶圆的电子显微 (SEM)照片。 附图2A是实施本发明时,组合物之组成与所得腐蚀 结果的三角关系图示。 附图2B-2C是半导体晶圆经过附图2A的三角关系图中 所示组成处理之后,一部分半导体晶圆的SEM照片。 附图3是根据本发明之组合物之组成与pH的三角关 系图。 附图4是半导体晶圆以根据本发明之组合物处理之 前,一部分半导体晶圆的SEM照片。 附图5A-5D是半导体晶圆经过本发明之组合物处理 之后,一部分半导体晶圆的SEM照片。 |
