| 发明名称 |
FABRICATION METHOD FOR ACTIVE STRUCTURE OF MULTI-GATE TRANSISTOR WITH IMPROVED PERFORMANCE AND ACTIVE STRUCTURE AND MULTI-GATE TRANSISTOR FABRICATED THEREBY |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
KR20050079843(A) |
申请公布日期 |
2005.08.11 |
| 申请号 |
KR20040008148 |
申请日期 |
2004.02.07 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
JIN, YOU SEUNG |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/84;H01L27/12;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
