Flip-Chip-Nitrid-Halbleiter-Leuchtdiode

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf eine Nitrid-Halbleiter-LED, worin eine n-dotierte Nitrid-Halbleiter-Schicht auf einem transparenten Trägermaterial ausgebildet ist. Eine aktive Schicht ist an der n-dotierten Nitrid-Halbleiter-Schicht ausgebildet. Ein p-dotierte Nitrid-Halbleiter-Schicht ist auf der aktiven Schicht ausgebildet. Eine ein hohes Reflexionsvermögen aufweisende ohmsche Kontaktschicht mit einer Maschenstruktur ist auf der p-dotierten Nitrid-Halbleiter-Schicht ausgebildet und weist eine Anzahl offener Bereiche auf, um die p-dotierte Nitrid-Halbleiter-Schicht freizulegen. Eine Metallsperrschicht ist auf wenigstens einem oberen Bereich der ein hohes Reflexionsvermögen aufweisenden ohmschen Kontaktschicht ausgebildet. Eine p-Anschlusselektrode ist auf der Metallsperrschicht ausgebildet. Eine n-Elektrode ist auf der n-dotierten Nitrid-Halbleiter-Schicht ausgebildet.