Organischer Transistor mit selbstjustierender Gate-Elektrode und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft einen organischen Transistor und ein Verfahren zum Herstellen des organischen Transistors. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen organischen Transistor mit selbstjustierender Gate-Elektrode bzw. ein Verfahren zur Herstellung dieses organischen Transistors. DOLLAR A Für die Herstellung des erfindungsgemäßen organischen Transistors wird ein Substrat bereitgestellt, auf dem eine unstrukturierte Halbleiterschicht aufgebracht ist, auf der wiederum eine Isolatorschicht angeordnet ist. Zumindest die Isolatorschicht wird strukturiert, so dass anschließend zumindest Source- und Drain-Elektroden-Schichten gebildet werden können. Die Bildung der Source- und Drain-Elektroden-Schichten nach der Strukturierung von zumindest der Isolatorschicht gewährleistet, dass eine Überlappung von sowohl einer Gate-Elektroden-Schicht als auch der Source- und Drain-Elektroden-Schichten im Wesentlichen vermieden wird.