| 发明名称 | 成孔材料沉积后的CVD室清洗 | ||
| 摘要 | 本发明是一种在沉积了含多孔材料的多孔膜后，清洗半导体材料工艺室中设备表面的方法，包括使含有质子供体的气体与设备表面接触，并与设备表面沉积的成孔材料反应；使含有氟供体的气体与设备表面接触，并与设备表面沉积的膜反应。 | ||
| 申请公布号 | CN1651159A | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
| 申请号 | CN200510050914.X | 申请日期 | 2005.01.21 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | A·D·约翰逊;S·德赫安德汉诺;M·D·比特纳;R·N·维蒂斯 |
| 分类号 | B08B9/08;B08B7/00;C23C16/44 | 主分类号 | B08B9/08 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张元忠;王景朝 |
| 主权项 | 1.一种沉积了含有成孔材料的多孔膜后，清洗半导体材料工艺室设备表面的方法，包括：使含有质子供体的气体与设备表面接触，并与设备表面沉积的成孔材料反应；使含有氟供体的气体与设备表面接触，并与设备表面沉积的膜反应。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||