制造化合物半导体膜的氧化物基方法和制造有关电子器件

摘要

制备化合物膜的方法，包括制备源料，在基片上沉积源料并由源料制成预备膜，在合适气氛下加热以形成前体膜，对之提供合适材料以形成化合物膜。源料包括含IB和IIIA族元素的含氧化物颗粒。前体膜包括IB和IIIA族元素的非氧化物。化合物膜包括IB-IIIA-VIA族化合物。在源料中氧化物由＞95mol％的IB元素和＞95mol％IIIA元素构成。在前体膜中非氧化物同样由＞95mol％IB元素和＞95mol％IIIA元素构成。IB对IIIA的摩尔比要大于0.6并小于1.0。源料可由粉末制成墨料。方法也可用于制备太阳能电池和其它电子器件。

主权项

1.一种制作化合物薄膜的方法，包括以下步骤：(a)制备包括含有IB族和IIIA族元素氧化物颗粒的源材料；(b)在基底上沉积所述源材料并由所述源材料制成预备膜；(c)在适合于提供氧化物还原的气氛中加热所述预备膜，以形成包含IB族和IIIA族元素的非氧化物的前体膜；和(d)形成所述前体膜之后，为所述前体膜提供适于形成包含IB-IIIA-VIA族化合物的薄膜的材料，其中VIA族源材料是通过加热沉积非气态材料而提供的，或者是通过加热以气态方式提供的。