| 发明名称 | 具有嵌入在背面金刚石层中的元件的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体衬底，在其正面具有集成电路，在其背面具有(比如金刚石)高热导材料层，在所述高导热材料层中嵌入元件，比如电容器，这些元件通过穿过衬底的通路被耦合到正面的集成电路。 | ||
| 申请公布号 | CN1653611A | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
| 申请号 | CN03811350.3 | 申请日期 | 2003.03.19 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 达米昂·瑟尔斯;普拉替克·杜贾里;连斌 |
| 分类号 | H01L23/373;H01L23/64 | 主分类号 | H01L23/373 |
| 代理机构 | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 | 代理人 | 齐永红 |
| 主权项 | 1.一种装置，包括：具有正面和背面的半导体衬底，在所述正面上可以制作有源器件层；耦合到所述半导体衬底背面的金刚石导热层；被嵌入在所述金刚石导热层中的背面元件；以及将所述背面元件电连接到所述半导体衬底正面的通路。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||