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发明名称 METHOD FOR FABRICATING DUAL DAMASCENE INTERCONNECTION AND ETCHANT FOR STRIPPING SACRIFICIAL FILL MATERIAL
摘要
申请公布号 KR20050079573(A) 申请公布日期 2005.08.10
申请号 KR20040008065 申请日期 2004.02.06
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 HAN, SANG CHEOL;LEE, KYOUNG WOO;KIM, MI YOUNG
分类号 H01L21/28;H01L21/311;H01L21/4763;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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