半导体器件及其形成方法

摘要

薄膜半导体器件，例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如TFT。形成主要由氮化铝组成第1涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第2涂层，其上可制作半导器件。

主权项

1.一种有源矩阵显示器件，包括：衬底；包括氧化硅的第一绝缘膜；包括氮化铝的、在第一绝缘膜上形成的第二绝缘膜；包括氧化硅的、在第二绝缘膜上形成的第三绝缘膜；在第三绝缘膜上形成的半导体膜；在半导体膜上形成的栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成的栅电极。