| 发明名称 | 异质低介电常数质材与其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种异质低介电常数质材与其形成方法。该异质低介电常数质材包括主要层与次要层，其中主要层包括具有第一低介电常数的第一低介电常数材料，次要层包括具有第二低介电常数的第二低介电常数材料，次要层直接与主要层邻接，且第二低介电常数大于第一低介电常数0.1以上。本发明提供的异质低介电常数质材，可更有效控制金属材料与基底表面之间的寄生电容，并能提高对机械或热应力制程的抵挡，避免造成膜的分层、剥离与碎裂。 | ||
| 申请公布号 | CN1652309A | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
| 申请号 | CN200410103761.6 | 申请日期 | 2004.12.31 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黎丽萍;章勋明;陈笔聪;卢永诚 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/469 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1、一种异质低介电常数质材，其特征在于包括：一主要层包括具有第一低介电常数的第一低介电常数材料；以及一次要层包括具有第二低介电常数的第二低介电常数材料，该次要层直接与该主要层邻接，且该第二低介电常数大于该第一低介电常数0.1以上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||